有消息称，因为经费不足等原因，深圳第三代半导体研究院决定解散。
网上流传出一份疑似深圳第三代半导体研究院发布的《解散通告》，其中称该研究院决定自2021年8月31日起全面停止经营。
2018年3月31日，在深圳市委市政府支持下，第三代半导体产业技术创新战略联盟、南方科技大学主要参与共建的深圳第三代半导体研究院正式启动。
按照官方说法，该研究院面向2030国家第三代半导体战略需求，围绕建设世界科技强国的战略目标，依托第三代半导体产业技术创新战略联盟，通过资源整合、优势互补、错位发展，创新体制机制打造的开放式、国际化、全链条的第三代半导体协同创新平台。
研究院立足深圳、覆盖粤港澳大湾区、面向全国，力争成为国家第三代半导体技术创新中心，推动中国第三代半导体全产业链进入世界先进行列。
截至目前，深圳市第三代半导体研究院官方渠道还没有任何消息公布，官网也能正常打开。
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体，是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的最基础材料。
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。
还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
它们主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg>2.3eV）的半导体材料。
它们具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度、更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC、GaN，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。
当前我国发展第三代半导体及其器件的最大瓶颈是原材料。我国 SiC 和 GaN 材料的制备与质量等问题亟待破解。
目前我国对 SiC 材料制备的设备尚为空缺，大多数设备还依赖进口。国内开展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比较晚，与国外相比水平还较低，缺少原始创新的专利。
因此，发展第三代半导体材料和器件的步伐有待加速。
