经费不足?深圳第三代半导体研究院被曝解散

有消息称,因为经费不足等原因,深圳第三代半导体研究院决定解散。

网上流传出一份疑似深圳第三代半导体研究院发布的《解散通告》,其中称该研究院决定自2021年8月31日起全面停止经营。

经费不足?深圳第三代半导体研究院被曝解散

2018年3月31日,在深圳市委市政府支持下,第三代半导体产业技术创新战略联盟、南方科技大学主要参与共建的深圳第三代半导体研究院正式启动。

按照官方说法,该研究院面向2030国家第三代半导体战略需求,围绕建设世界科技强国的战略目标,依托第三代半导体产业技术创新战略联盟,通过资源整合、优势互补、错位发展,创新体制机制打造的开放式、国际化、全链条的第三代半导体协同创新平台。

研究院立足深圳、覆盖粤港澳大湾区、面向全国,力争成为国家第三代半导体技术创新中心,推动中国第三代半导体全产业链进入世界先进行列。

截至目前,深圳市第三代半导体研究院官方渠道还没有任何消息公布,官网也能正常打开。

经费不足?深圳第三代半导体研究院被曝解散

第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体,是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的最基础材料。

第二代半导体材料是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP),以及三元化合物半导体材料,如铝砷化镓(GaAsAl)、磷砷化镓(GaAsP)等。

还有一些固溶体半导体材料,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP)等;玻璃半导体(又称非晶态半导体)材料,如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等;有机半导体材料,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

它们主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度Eg>2.3eV)的半导体材料。

它们具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度、更高的抗辐射能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟的第三代半导体材料是SiC、GaN,而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

当前我国发展第三代半导体及其器件的最大瓶颈是原材料。我国 SiC 和 GaN 材料的制备与质量等问题亟待破解。

目前我国对 SiC 材料制备的设备尚为空缺,大多数设备还依赖进口。国内开展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比较晚,与国外相比水平还较低,缺少原始创新的专利。

因此,发展第三代半导体材料和器件的步伐有待加速。

经费不足?深圳第三代半导体研究院被曝解散

米粒
  • 本文由 发表于 2021年9月4日13:32:51
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