闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层:未来可达1000层

自从闪存进入3D时代,堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高,从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模,现在韩国平泽市的存储芯片工厂已经是全球最大的,三星计划建设第二座平泽工厂。

在闪存技术上,三星的128V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量产第7V-NAND闪存,堆栈层数提升到176层。

在“盖楼”层数上,三星实际上已经落后于美光,后者在去年底就推出了1763D闪存,并且量产了,三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8V-NAND闪存,堆栈层数有望超过200层,不过三星没公布具体情况,预计要到明年下半年才有可能量产。

至于未来的层数还能堆多高,早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈,是当前3D堆栈的极限了,但三星的目标是希望超过1000层,这个就需要很多技术突破了。

闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层:未来可达1000层

米粒
  • 本文由 发表于 2021年6月10日16:10:54
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