三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm

三星不仅是世界第一大DRAM内存芯片供应商,技术水平也是最先进。

据BusinessKorea,三星要求研发人员停止1b工艺DRAM芯片的开发,也就是跳过12nm,直接跨代到1c,即11nm。

三星设定了非常激进的目标,即在今年6月完成并冻结11nm、第六代DRAM芯片的开发工作。

此前的说法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困难,搞不定。不过就最新的报道来看,似乎并非如此,当然,最终实情如何,还得拿实物量产说话。

报道指出,三星此举目的在于重新拉开与竞争对手SK海力士、美光的技术差距,其原因在于1a DRAM芯片量产上,三星实际上落后于竞争对手。

事实上,这并非三星第一次在DRAM芯片上计划“弯道超车”,当年对手都在搞28nm DRAM时,三星聚焦更先进的25nm工艺,结果高风险最终促成高收益。

三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm

米粒
  • 本文由 发表于 2022年4月15日19:34:47
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